Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
APTM50HM65FT3G
  • В избранное
  • В сравнение
APTM50HM65FT3G

APTM50HM65FT3G

APTM50HM65FT3G
;
APTM50HM65FT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APTM50HM65FT3G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3Все характеристики

Минимальная цена APTM50HM65FT3G при покупке от 1 шт 22026.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APTM50HM65FT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APTM50HM65FT3G

APTM50HM65FT3G — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с характеристиками:

  • Напряжение ввода (VGS(th)): 6.5 В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 51 А
  • Номинальное напряжение (VDS): 500 В
  • Количество каналов (N-Channel): 1
  • Стандартный продукт (SP3): Да

Плюсы:

  • Высокая проводимость: способность передавать большие токи при низком сопротивлении.
  • Малые потери энергии: эффективность работы благодаря низкому коэффициенту сопротивления.
  • Простота управления: требует небольшого напряжения для управления большим током.
  • Высокая надежность: стабильная работа даже при высоких температурах.

Минусы:

  • Уязвимость к электрическому шуму: может быть поврежден из-за скачков напряжения.
  • Требуется теплоотвод: при высоких нагрузках может нагреваться.

Общее назначение:

  • Используется в различных приложениях, где требуется высокая проводимость и низкие потери энергии.
  • Подходит для регулирования тока в источниках питания, преобразователях и других электронных устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания.
  • Преобразователи напряжения.
  • Регуляторы напряжения.
  • Системы управления двигателем.
  • Источники питания.
Выбрано: Показать

Характеристики APTM50HM65FT3G

  • Тип полевого транзистора
    4 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    51A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    78mOhm @ 25.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7000pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    390W
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SP3
  • Исполнение корпуса
    SP3
  • Base Product Number
    APTM50

Техническая документация

 APTM50HM65FT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 8 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    22 026 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APTM50HM65FT3G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3Все характеристики

Минимальная цена APTM50HM65FT3G при покупке от 1 шт 22026.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APTM50HM65FT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APTM50HM65FT3G

APTM50HM65FT3G — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с характеристиками:

  • Напряжение ввода (VGS(th)): 6.5 В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 51 А
  • Номинальное напряжение (VDS): 500 В
  • Количество каналов (N-Channel): 1
  • Стандартный продукт (SP3): Да

Плюсы:

  • Высокая проводимость: способность передавать большие токи при низком сопротивлении.
  • Малые потери энергии: эффективность работы благодаря низкому коэффициенту сопротивления.
  • Простота управления: требует небольшого напряжения для управления большим током.
  • Высокая надежность: стабильная работа даже при высоких температурах.

Минусы:

  • Уязвимость к электрическому шуму: может быть поврежден из-за скачков напряжения.
  • Требуется теплоотвод: при высоких нагрузках может нагреваться.

Общее назначение:

  • Используется в различных приложениях, где требуется высокая проводимость и низкие потери энергии.
  • Подходит для регулирования тока в источниках питания, преобразователях и других электронных устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания.
  • Преобразователи напряжения.
  • Регуляторы напряжения.
  • Системы управления двигателем.
  • Источники питания.
Выбрано: Показать

Характеристики APTM50HM65FT3G

  • Тип полевого транзистора
    4 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    51A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    78mOhm @ 25.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7000pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    390W
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SP3
  • Исполнение корпуса
    SP3
  • Base Product Number
    APTM50

Техническая документация

 APTM50HM65FT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSM180D12P2C101Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
    84 867Кешбэк 12 730 баллов
    CAS300M17BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE
    189 367Кешбэк 28 405 баллов
    APT30M19JVFRMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
    12 534Кешбэк 1 880 баллов
    CAS120M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
    96 380Кешбэк 14 457 баллов
    CCS050M12CM2Транзистор: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE
    102 406Кешбэк 15 360 баллов
    CAS300M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE
    148 357Кешбэк 22 253 балла
    IXFN20N120PMOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
    3 056Кешбэк 458 баллов
    IXFN360N10TMOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
    5 097Кешбэк 764 балла
    IXFN180N15PMOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
    5 142Кешбэк 771 балл
    IXFN180N25TMOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
    5 410Кешбэк 811 баллов
    IXFN200N10PMOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
    5 492Кешбэк 823 балла
    IXFN140N20PMOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
    5 492Кешбэк 823 балла
    IXFN64N50PMOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
    5 676Кешбэк 851 балл
    IXFN420N10TMOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
    5 739Кешбэк 860 баллов
    IXFN44N80PMOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
    6 010Кешбэк 901 балл
    IXFN160N30TMOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
    6 024Кешбэк 903 балла
    IXFN64N60PMOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
    6 468Кешбэк 970 баллов
    IXFN140N30PMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
    6 474Кешбэк 971 балл
    IXFN520N075T2MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
    6 557Кешбэк 983 балла
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    6 770Кешбэк 1 015 баллов
    IXFN80N50PMOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
    6 827Кешбэк 1 024 балла
    IXTN170P10PMOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
    6 928Кешбэк 1 039 баллов
    IXTN40P50PMOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    6 928Кешбэк 1 039 баллов
    IXTN32P60PMOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
    6 945Кешбэк 1 041 балл
    IXTN90P20PMOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
    6 945Кешбэк 1 041 балл
    IXTN600N04T2MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
    7 067Кешбэк 1 060 баллов
    IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    7 114Кешбэк 1 067 баллов
    IXFN32N100PMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
    7 171Кешбэк 1 075 баллов
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    7 192Кешбэк 1 078 баллов
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 644Кешбэк 1 146 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП