Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
BSM120D12P2C005
  • В избранное
  • В сравнение
BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005
;
BSM120D12P2C005

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    BSM120D12P2C005
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEВсе характеристики

Минимальная цена BSM120D12P2C005 при покупке от 1 шт 79842.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSM120D12P2C005 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005 ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UDSONS): 1200В
    • Номинальный ток (ID): 120А
    • Тип: MOSFET
    • Количество каналов (N-Ch): 2
    • Модульный формат
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Долгий срок службы благодаря надежной конструкции
    • Модульный формат обеспечивает удобство установки и замены
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление током в электронных схемах
    • Преобразование сигналов
    • Распределение энергии в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Стабилизаторы напряжения
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BSM120D12P2C005

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.7V @ 22mA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14000pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    780W
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    BSM120

Техническая документация

 BSM120D12P2C005.pdf
pdf. 0 kb
  • 11 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    79 842 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    BSM120D12P2C005
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEВсе характеристики

Минимальная цена BSM120D12P2C005 при покупке от 1 шт 79842.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSM120D12P2C005 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005 ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UDSONS): 1200В
    • Номинальный ток (ID): 120А
    • Тип: MOSFET
    • Количество каналов (N-Ch): 2
    • Модульный формат
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Долгий срок службы благодаря надежной конструкции
    • Модульный формат обеспечивает удобство установки и замены
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление током в электронных схемах
    • Преобразование сигналов
    • Распределение энергии в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Стабилизаторы напряжения
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BSM120D12P2C005

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.7V @ 22mA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14000pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    780W
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    BSM120

Техническая документация

 BSM120D12P2C005.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSM120D12P2C005Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
    79 842Кешбэк 11 976 баллов
    BSM180D12P2C101Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
    84 867Кешбэк 12 730 баллов
    CAS300M17BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE
    189 367Кешбэк 28 405 баллов
    APT30M19JVFRMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
    12 534Кешбэк 1 880 баллов
    CAS120M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
    96 380Кешбэк 14 457 баллов
    CCS050M12CM2Транзистор: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE
    102 406Кешбэк 15 360 баллов
    CAS300M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE
    148 357Кешбэк 22 253 балла
    IXFN20N120PMOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
    3 043Кешбэк 456 баллов
    IXFN360N10TMOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
    5 074Кешбэк 761 балл
    IXFN180N15PMOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
    5 121Кешбэк 768 баллов
    IXFN180N25TMOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
    5 387Кешбэк 808 баллов
    IXFN200N10PMOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
    5 492Кешбэк 823 балла
    IXFN140N20PMOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
    5 492Кешбэк 823 балла
    IXFN64N50PMOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
    5 676Кешбэк 851 балл
    IXFN420N10TMOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
    5 714Кешбэк 857 баллов
    IXFN44N80PMOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
    5 986Кешбэк 897 баллов
    IXFN160N30TMOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
    6 024Кешбэк 903 балла
    IXFN64N60PMOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
    6 468Кешбэк 970 баллов
    IXFN140N30PMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
    6 474Кешбэк 971 балл
    IXFN520N075T2MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
    6 557Кешбэк 983 балла
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    6 770Кешбэк 1 015 баллов
    IXFN80N50PMOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
    6 827Кешбэк 1 024 балла
    IXTN170P10PMOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
    6 928Кешбэк 1 039 баллов
    IXTN40P50PMOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    6 928Кешбэк 1 039 баллов
    IXTN32P60PMOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
    6 945Кешбэк 1 041 балл
    IXTN90P20PMOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
    6 945Кешбэк 1 041 балл
    IXTN600N04T2MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
    7 067Кешбэк 1 060 баллов
    IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    7 114Кешбэк 1 067 баллов
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    7 161Кешбэк 1 074 балла
    IXFN32N100PMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
    7 171Кешбэк 1 075 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП