BSM180D12P2C101

BSM180D12P2C101 ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

• Основные параметры:
• Напряжение срабатывания (UDSS): 2.5 В
• Размерный ток (ID): 180 А
• Номинальное напряжение (VDS): 1200 В
• Частота работы (f): до 100 кГц
• Температурный диапазон (-40°C до +175°C)
• Плюсы:
• Высокая емкость при низком напряжении срабатывания
• Высокая токовая способность
• Высокая температурная стабильность
• Эффективность работы при высокой частоте
• Компактный размер
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Возможны проблемы с шумами при работе на высоких частотах
• Общее назначение:
• Использование в силовых электронных устройствах
• Драйверы двигателей
• Приводы электроприводов
• Системы управления мощностью
• Автомобильные системы
• В каких устройствах применяется:
• Автомобили (системы привода, ABS)
• Промышленное оборудование (моторы, преобразователи)
• Питание серверных систем
• Игровые консоли и периферийное оборудование
• Системы управления тепловыми насосами и компрессорами