FMG2G75US120

ФМГ2Г75US120 Fairchild Semiconductor IGBT

• Тип: IGBT (Интегральный гетеротермический транзистор)
• Рейтинг по току: 75A
• Рейтинг по напряжению: 1200V
• Направление поля: N-канальный

Основные параметры:

• Питание: В зависимости от конкретного применения, может потребоваться внешнее питание или самопитание
• Частота работы: До 100 кГц, но может работать при более высокой частоте с уменьшением эффективности
• Эффективность: Высокая при работе в режиме тока управления
• Температурный диапазон: Обычно от -40°C до +150°C

Плюсы:

• Высокий КПД: Особенно эффективен при работе с переменным током
• Высокие рабочие напряжения: Подходит для высоковольтных приложений
• Устойчивость к перегреву: Имеет защиту от перегрева
• Простота управления: Легко управляемый с помощью сигнала тока

Минусы:

• Затраты на проектирование: Требует учета специфических требований к дизайну
• Время переключения: Может быть выше, чем у некоторых других типов транзисторов
• Объем: Больше, чем у MOSFET, что может быть критично в компактных устройствах

Общее назначение:

• Используется в различных приборах и системах, где требуется управление высокими токами и напряжениями
• Подходит для промышленной автоматики, электроприводов, источников питания, систем управления двигателем

В каких устройствах применяется:

• Источники питания для компьютеров и серверов
• Промышленные приводы и системы управления движением
• Автомобильные системы управления двигателем и зарядными устройствами
• Системы управления тепловыми насосами и кондиционерами
• Промышленное оборудование с высоким энергетическим потреблением