Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты - Модули
GHXS030A120S-D3
  • В избранное
  • В сравнение
GHXS030A120S-D3

GHXS030A120S-D3

GHXS030A120S-D3
;
GHXS030A120S-D3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    SemiQ
  • Артикул:
    GHXS030A120S-D3
  • Описание:
    DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227Все характеристики

Минимальная цена GHXS030A120S-D3 при покупке от 1 шт 4989.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GHXS030A120S-D3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GHXS030A120S-D3

GHXS030A120S-D3 SemiQ DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 30А
    • Тип диода: Шоттки (SCHOTKY)
    • Объемный класс: SOT227
  • Плюсы:
    • Малый смещение напряжения (менее 0,5В), что улучшает эффективность в высоковольтных приложениях
    • Высокая скорость переключения, что позволяет уменьшить энергопотери
    • Устойчивость к обратному току
    • Малые размеры и легкость интеграции в электронные схемы
  • Минусы:
    • Меньшая емкость по сравнению с другими типами диодов
    • При работе в условиях больших токов и температур может нагреваться
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания
    • Защита от обратного тока
    • Переключение высоковольтных сигналов
    • Работа в источниках питания для бытовой техники, серверных систем и промышленных устройств
  • Применяется в:
    • Системах управления мощностью
    • Блоках питания
    • Диодных мостах
    • Защитных цепях
Выбрано: Показать

Характеристики GHXS030A120S-D3

  • Конфигурация диода
    2 Independent
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    30A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 30 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
  • Base Product Number
    GHXS030

Техническая документация

 GHXS030A120S-D3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    4 989 ₽
  • 10
    3 636 ₽
  • 100
    3 055 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    SemiQ
  • Артикул:
    GHXS030A120S-D3
  • Описание:
    DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227Все характеристики

Минимальная цена GHXS030A120S-D3 при покупке от 1 шт 4989.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GHXS030A120S-D3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GHXS030A120S-D3

GHXS030A120S-D3 SemiQ DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 30А
    • Тип диода: Шоттки (SCHOTKY)
    • Объемный класс: SOT227
  • Плюсы:
    • Малый смещение напряжения (менее 0,5В), что улучшает эффективность в высоковольтных приложениях
    • Высокая скорость переключения, что позволяет уменьшить энергопотери
    • Устойчивость к обратному току
    • Малые размеры и легкость интеграции в электронные схемы
  • Минусы:
    • Меньшая емкость по сравнению с другими типами диодов
    • При работе в условиях больших токов и температур может нагреваться
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания
    • Защита от обратного тока
    • Переключение высоковольтных сигналов
    • Работа в источниках питания для бытовой техники, серверных систем и промышленных устройств
  • Применяется в:
    • Системах управления мощностью
    • Блоках питания
    • Диодных мостах
    • Защитных цепях
Выбрано: Показать

Характеристики GHXS030A120S-D3

  • Конфигурация диода
    2 Independent
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    30A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 30 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
  • Base Product Number
    GHXS030

Техническая документация

 GHXS030A120S-D3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VS-60MT160KPBFBRIDGE RECT 3P 1.6KV 60A MT-K
    12 409Кешбэк 1 861 балл
    VS-70MT160KPBFBRIDGE RECT 3P 1.6KV 70A MT-K
    12 832Кешбэк 1 924 балла
    M50100SB600BRIDGE RECT 1P 600V 100A MODULE
    20 783Кешбэк 3 117 баллов
    M5060TB1400BRIDGE RECT 3P 1.4KV 60A MODULE
    20 592Кешбэк 3 088 баллов
    M50100TB800BRIDGE RECT 3P 800V 100A MODULE
    26 182Кешбэк 3 927 баллов
    T485CBRIDGE RECT 3PHASE
    14 716Кешбэк 2 207 баллов
    M5060TB1600BRIDGE RECT 3P 1.6KV 60A MODULE
    23 727Кешбэк 3 559 баллов
    M50100TB600BRIDGE RECT 3P 600V 100A MODULE
    25 135Кешбэк 3 770 баллов
    M5060TB1000BRIDGE RECT 3P 1KV 60A MODULE
    18 051Кешбэк 2 707 баллов
    M5060SB1000BRIDGE RECT 1P 1KV 60A MODULE
    13 951Кешбэк 2 092 балла
    M5060SB1600BRIDGE RECT 1P 1.6KV 60A MODULE
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    GHXS030A120S-D3DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
    4 989Кешбэк 748 баллов
    0546160000BRIDGE RECT 1P 240V 1A MODULE
    7 705Кешбэк 1 155 баллов
    M5060SB1200BRIDGE RECT 1P 1.2KV 60A MODULE
    11 283Кешбэк 1 692 балла
    M50100TB1200BRIDGE RECT 3P 1.2KV 100A MODULE
    27 423Кешбэк 4 113 баллов
    T483ABRIDGE RECT 1P 200V 10A MODULE
    10 071Кешбэк 1 510 баллов
    M5060SB400BRIDGE RECT 1P 400V 60A MODULE
    7 781Кешбэк 1 167 баллов
    M5060TB600BRIDGE RECT 3P 600V 60A MODULE
    11 911Кешбэк 1 786 баллов
    M5060SB600BRIDGE RECT 1P 600V 60A MODULE
    12 570Кешбэк 1 885 баллов
    M50100SB1200BRIDGE RECT 1P 1.2KV 100A MODULE
    22 625Кешбэк 3 393 балла
    B483C-2TBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A
    9 447Кешбэк 1 417 баллов
    M50100SB1000Диод: BRIDGE RECT 1P 1KV 100A MODULE
    16 081Кешбэк 2 412 баллов
    M50100SB1600BRIDGE RECT 1P 1.6KV 100A MODULE
    21 133Кешбэк 3 169 баллов
    M50100TB1600BRIDGE RECT 3P 1.6KV 100A MODULE
    26 832Кешбэк 4 024 балла
    B483F-2BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 35A
    10 812Кешбэк 1 621 балл
    B485C-2BRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A
    12 622Кешбэк 1 893 балла
    M5060TB1200BRIDGE RECT 3P 1.2KV 60A MODULE
    20 003Кешбэк 3 000 баллов
    B485F-2TBRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 50A
    13 628Кешбэк 2 044 балла
    B485F-2BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 50A
    12 417Кешбэк 1 862 балла
    APTDR90X1601GДиод: BRIDGE RECT 3PHASE 1.6KV 90A SP1
    16 398Кешбэк 2 459 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП