Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN140N30P
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN140N30P

IXFN140N30P

IXFN140N30P
;
IXFN140N30P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN140N30P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN140N30P при покупке от 1 шт 6314.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN140N30P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN140N30P

IXFN140N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 300 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 110 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на коллекторе
    • Малый тепловой сопротивление
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Минимальная площадьoccupation на печатной плате
  • Минусы:
    • Необходима дополнительная защита от перегрева
    • Требуется правильная подстройка для оптимальной работы
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Регулирование напряжения
    • Применение в преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления
    • Инверторах для солнечных батарей
    • Преобразователях питания
    • Стабилизаторах напряжения
    • Электронных устройствах потребителей энергии
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN140N30P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    300 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    110A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24mOhm @ 70A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    185 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN140

Техническая документация

 IXFN140N30P.pdf
pdf. 0 kb
  • 241 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 314 ₽
  • 10
    4 667 ₽
  • 100
    4 106 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN140N30P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN140N30P при покупке от 1 шт 6314.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN140N30P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN140N30P

IXFN140N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 300 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 110 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на коллекторе
    • Малый тепловой сопротивление
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Минимальная площадьoccupation на печатной плате
  • Минусы:
    • Необходима дополнительная защита от перегрева
    • Требуется правильная подстройка для оптимальной работы
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Регулирование напряжения
    • Применение в преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления
    • Инверторах для солнечных батарей
    • Преобразователях питания
    • Стабилизаторах напряжения
    • Электронных устройствах потребителей энергии
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN140N30P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    300 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    110A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24mOhm @ 70A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    185 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN140

Техническая документация

 IXFN140N30P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APL502JMOSFET N-CH 500V 52A ISOTOP
    11 016Кешбэк 1 652 балла
    APT5010JVRU2MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
    5 554Кешбэк 833 балла
    APTM50AM24SGТранзистор: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
    39 484Кешбэк 5 922 балла
    APT10M11JVRU3MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
    5 102Кешбэк 765 баллов
    APT10021JFLLMOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
    18 749Кешбэк 2 812 баллов
    APT50M75JLLU2MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
    5 206Кешбэк 780 баллов
    APTM100UM45DAGMOSFET N-CH 1000V 215A SP6
    58 422Кешбэк 8 763 балла
    APT10M11JVRU2MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
    5 102Кешбэк 765 баллов
    APT51F50JMOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
    5 137Кешбэк 770 баллов
    APT10045JLLMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
    8 539Кешбэк 1 280 баллов
    APTM50H14FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
    13 187Кешбэк 1 978 баллов
    APTML100U60R020T1AGMOSFET N-CH 1000V 20A SP1
    25 595Кешбэк 3 839 баллов
    APT17F120JMOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
    5 745Кешбэк 861 балл
    APT80M60JMOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
    9 676Кешбэк 1 451 балл
    APTM50HM65FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
    21 482Кешбэк 3 222 балла
    APT5010JLLU2MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
    4 834Кешбэк 725 баллов
    APT50M65JLLMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    8 180Кешбэк 1 227 баллов
    APTC60DSKM24T3GТранзистор: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
    18 025Кешбэк 2 703 балла
    APTM20AM04FGТранзистор: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
    47 232Кешбэк 7 084 балла
    APTM50AM38STGТранзистор: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
    24 427Кешбэк 3 664 балла
    APT60M60JLLMOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    17 554Кешбэк 2 633 балла
    APTM100A13SCGТранзистор: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
    47 024Кешбэк 7 053 балла
    APT47M60JMOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
    5 636Кешбэк 845 баллов
    APT58M80JMOSFET N-CH 800V 60A SOT227
    11 114Кешбэк 1 667 баллов
    APTM100H45SCTGТранзистор: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
    29 302Кешбэк 4 395 баллов
    IXFN230N20TMOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
    7 216Кешбэк 1 082 балла
    FD6M045N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    1 295Кешбэк 194 балла
    FD6M033N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    869Кешбэк 130 баллов
    APT50M75JLLU3MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
    8 957Кешбэк 1 343 балла
    APT58M50JMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    8 192Кешбэк 1 228 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП