Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN180N25T
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN180N25T

IXFN180N25T

IXFN180N25T
;
IXFN180N25T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN180N25T
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 168A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN180N25T при покупке от 1 шт 5580.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN180N25T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN180N25T

IXFN180N25T IXYS MOSFET N-Ч 250В 168А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение: 250В
    • Рейтинг тока: 168А
    • Объемный оболочка: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малые потери энергии
    • Долгий срок службы благодаря надежной конструкции
    • Удобство монтажа за счет компактного размера
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения при высоких нагрузках
    • Не рекомендуется для использования в высокочастотных цепях без дополнительных компонентов
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокой проводимости и малых потерь энергии
    • Регулирование напряжения в блоках питания
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Блоки питания
    • Автомобильная электроника
    • Цифровые устройства
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN180N25T

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    168A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.9mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    345 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    28000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    900W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN180

Техническая документация

 IXFN180N25T.pdf
pdf. 0 kb
  • 420 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 580 ₽
  • 10
    4 094 ₽
  • 100
    3 517 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN180N25T
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 168A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN180N25T при покупке от 1 шт 5580.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN180N25T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN180N25T

IXFN180N25T IXYS MOSFET N-Ч 250В 168А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение: 250В
    • Рейтинг тока: 168А
    • Объемный оболочка: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малые потери энергии
    • Долгий срок службы благодаря надежной конструкции
    • Удобство монтажа за счет компактного размера
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения при высоких нагрузках
    • Не рекомендуется для использования в высокочастотных цепях без дополнительных компонентов
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокой проводимости и малых потерь энергии
    • Регулирование напряжения в блоках питания
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Блоки питания
    • Автомобильная электроника
    • Цифровые устройства
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN180N25T

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    168A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.9mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    345 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    28000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    900W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN180

Техническая документация

 IXFN180N25T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXTN40P50PMOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    6 773Кешбэк 1 015 баллов
    IXTN90P20PMOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
    6 773Кешбэк 1 015 баллов
    IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    6 938Кешбэк 1 040 баллов
    IXFN32N100PMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
    6 994Кешбэк 1 049 баллов
    IXTN170P10PMOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
    7 148Кешбэк 1 072 балла
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 455Кешбэк 1 118 баллов
    IXFN60N80PMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
    7 965Кешбэк 1 194 балла
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    8 507Кешбэк 1 276 баллов
    IXFN132N50P3MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
    8 554Кешбэк 1 283 балла
    IXFN210N20PMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
    8 565Кешбэк 1 284 балла
    IXFN300N10PMOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
    8 565Кешбэк 1 284 балла
    IXFN170N30PMOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
    8 567Кешбэк 1 285 баллов
    IXFN44N100PMOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
    8 576Кешбэк 1 286 баллов
    IXTN8N150LMOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
    8 626Кешбэк 1 293 балла
    IXTN200N10L2MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
    8 656Кешбэк 1 298 баллов
    IXTN550N055T2MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
    8 730Кешбэк 1 309 баллов
    IXFN100N50PТранзистор: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
    8 837Кешбэк 1 325 баллов
    IXFN62N80Q3MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
    8 871Кешбэк 1 330 баллов
    IXFN360N15T2MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
    9 015Кешбэк 1 352 балла
    IXFN38N100PMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
    9 082Кешбэк 1 362 балла
    IXTN110N20L2MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
    9 265Кешбэк 1 389 баллов
    IXFN80N50Q3MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
    9 363Кешбэк 1 404 балла
    IXTN90N25L2MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
    10 103Кешбэк 1 515 баллов
    IXTN46N50LMOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
    10 644Кешбэк 1 596 баллов
    IXFN82N60Q3MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
    10 873Кешбэк 1 630 баллов
    IXFN100N50Q3MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
    10 877Кешбэк 1 631 балл
    IXFN56N90PMOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
    11 036Кешбэк 1 655 баллов
    IXFN80N50MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
    11 170Кешбэк 1 675 баллов
    IXFN32N100Q3MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
    11 359Кешбэк 1 703 балла
    IXFN44N80Q3MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
    11 359Кешбэк 1 703 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП