Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN210N30P3
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

IXFN210N30P3
;
IXFN210N30P3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN210N30P3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 300V 192A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN210N30P3 при покупке от 1 шт 7192.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN210N30P3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN210N30P3

IXFN210N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток (IDS(on)): 192 A
    • Номинальное напряжение (VDS(max)): 300 V
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Устойчивость к напряжению
    • Малый динамический трение
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах питания
    • Регулировка напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Автоматические системы управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы электропитания
    • Инверторы
    • Промышленные системы управления
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN210N30P3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    300 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    192A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.5mOhm @ 105A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    268 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    16200 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1500W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN210

Техническая документация

 IXFN210N30P3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    7 192 ₽
  • 10
    6 732 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN210N30P3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 300V 192A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN210N30P3 при покупке от 1 шт 7192.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN210N30P3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN210N30P3

IXFN210N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток (IDS(on)): 192 A
    • Номинальное напряжение (VDS(max)): 300 V
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Устойчивость к напряжению
    • Малый динамический трение
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах питания
    • Регулировка напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Автоматические системы управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы электропитания
    • Инверторы
    • Промышленные системы управления
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN210N30P3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    300 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    192A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.5mOhm @ 105A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    268 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    16200 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1500W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN210

Техническая документация

 IXFN210N30P3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSM180D12P2C101Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
    84 867Кешбэк 12 730 баллов
    CAS300M17BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE
    189 367Кешбэк 28 405 баллов
    APT30M19JVFRMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
    12 534Кешбэк 1 880 баллов
    CAS120M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
    96 380Кешбэк 14 457 баллов
    CCS050M12CM2Транзистор: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE
    102 406Кешбэк 15 360 баллов
    CAS300M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE
    148 357Кешбэк 22 253 балла
    IXFN20N120PMOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
    3 056Кешбэк 458 баллов
    IXFN360N10TMOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
    5 097Кешбэк 764 балла
    IXFN180N15PMOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
    5 142Кешбэк 771 балл
    IXFN180N25TMOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
    5 410Кешбэк 811 баллов
    IXFN200N10PMOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
    5 492Кешбэк 823 балла
    IXFN140N20PMOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
    5 492Кешбэк 823 балла
    IXFN64N50PMOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
    5 676Кешбэк 851 балл
    IXFN420N10TMOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
    5 739Кешбэк 860 баллов
    IXFN44N80PMOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
    6 010Кешбэк 901 балл
    IXFN160N30TMOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
    6 024Кешбэк 903 балла
    IXFN64N60PMOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
    6 468Кешбэк 970 баллов
    IXFN140N30PMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
    6 474Кешбэк 971 балл
    IXFN520N075T2MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
    6 557Кешбэк 983 балла
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    6 770Кешбэк 1 015 баллов
    IXFN80N50PMOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
    6 827Кешбэк 1 024 балла
    IXTN170P10PMOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
    6 928Кешбэк 1 039 баллов
    IXTN40P50PMOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    6 928Кешбэк 1 039 баллов
    IXTN32P60PMOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
    6 945Кешбэк 1 041 балл
    IXTN90P20PMOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
    6 945Кешбэк 1 041 балл
    IXTN600N04T2MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
    7 067Кешбэк 1 060 баллов
    IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    7 114Кешбэк 1 067 баллов
    IXFN32N100PMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
    7 171Кешбэк 1 075 баллов
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    7 192Кешбэк 1 078 баллов
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 644Кешбэк 1 146 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторные модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные триодные тиристоры
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП