Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN360N10T
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN360N10T

IXFN360N10T

IXFN360N10T
;
IXFN360N10T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN360N10T
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN360N10T при покупке от 1 шт 5097.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN360N10T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN360N10T

IXFN360N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальный ток пропускания (ID(on)): 360А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Оболочка: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое затратное время
    • Малые размеры и вес
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Необходимо учесть влияние температуры на характеристики
    • Требуются дополнительные компоненты для защиты и управления
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых системах
    • Применяются в источниках питания
    • Контроль тока в электронных устройствах
    • Автоматизация и управление электрическими цепями
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование и автоматизация
    • Энергосберегающие приборы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN360N10T

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    360A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.6mOhm @ 180A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    505 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    36000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    830W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN360

Техническая документация

 IXFN360N10T.pdf
pdf. 0 kb
  • 71 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 097 ₽
  • 5
    4 322 ₽
  • 10
    4 012 ₽
  • 20
    3 871 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN360N10T
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN360N10T при покупке от 1 шт 5097.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN360N10T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN360N10T

IXFN360N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальный ток пропускания (ID(on)): 360А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Оболочка: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое затратное время
    • Малые размеры и вес
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Необходимо учесть влияние температуры на характеристики
    • Требуются дополнительные компоненты для защиты и управления
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых системах
    • Применяются в источниках питания
    • Контроль тока в электронных устройствах
    • Автоматизация и управление электрическими цепями
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование и автоматизация
    • Энергосберегающие приборы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN360N10T

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    360A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.6mOhm @ 180A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    505 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    36000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    830W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN360

Техническая документация

 IXFN360N10T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXTN600N04T2MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
    7 067Кешбэк 1 060 баллов
    IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    7 114Кешбэк 1 067 баллов
    IXFN32N100PMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
    7 171Кешбэк 1 075 баллов
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    7 192Кешбэк 1 078 баллов
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 644Кешбэк 1 146 баллов
    IXFN44N100PMOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
    7 648Кешбэк 1 147 баллов
    IXFN26N100PMOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
    8 014Кешбэк 1 202 балла
    IXFN210N20PMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
    8 227Кешбэк 1 234 балла
    IXTN550N055T2MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
    8 554Кешбэк 1 283 балла
    IXFN60N80PMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
    8 561Кешбэк 1 284 балла
    IXFN132N50P3MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
    8 655Кешбэк 1 298 баллов
    IXFN300N10PMOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
    8 784Кешбэк 1 317 баллов
    IXFN170N30PMOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
    8 784Кешбэк 1 317 баллов
    IXFN100N50PТранзистор: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
    9 061Кешбэк 1 359 баллов
    IXFN62N80Q3MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
    9 095Кешбэк 1 364 балла
    IXFN360N15T2MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
    9 243Кешбэк 1 386 баллов
    IXTN200N10L2MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
    9 312Кешбэк 1 396 баллов
    IXTN110N20L2MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
    9 312Кешбэк 1 396 баллов
    IXFN38N100PMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
    9 312Кешбэк 1 396 баллов
    IXTN8N150LMOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
    9 430Кешбэк 1 414 баллов
    IXFN80N50Q3MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
    9 601Кешбэк 1 440 баллов
    IXTN210P10TMOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
    9 720Кешбэк 1 458 баллов
    IXTN90N25L2MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
    10 359Кешбэк 1 553 балла
    IXTN46N50LMOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
    10 913Кешбэк 1 636 баллов
    IXFN82N60Q3MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
    11 149Кешбэк 1 672 балла
    IXFN100N50Q3MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
    11 153Кешбэк 1 672 балла
    IXFN56N90PMOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
    11 316Кешбэк 1 697 баллов
    IXFN80N50MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
    11 453Кешбэк 1 717 баллов
    IXFN32N100Q3MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
    11 646Кешбэк 1 746 баллов
    IXFN44N80Q3MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
    11 646Кешбэк 1 746 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторные модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП