Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN80N60P3
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN80N60P3

IXFN80N60P3

IXFN80N60P3
;
IXFN80N60P3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN80N60P3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN80N60P3 при покупке от 1 шт 6770.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN80N60P3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN80N60P3

IXFN80N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 600В
    • Номинальный ток прямого тока (ID): 66А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме открытия
    • Низкий коэффициент вольтажа при прохождении тока (VDS(ON))
    • Высокая надежность и стабильность
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в электропитании устройств и систем
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Применение в светодиодных источниках света
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Электропитание серверных систем
    • Промышленное оборудование
    • Домашние электронные приборы
    • Источники питания для различных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN80N60P3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70mOhm @ 40A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    190 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13100 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    960W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN80

Техническая документация

 IXFN80N60P3.pdf
pdf. 0 kb
  • 124 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 770 ₽
  • 10
    5 060 ₽
  • 100
    4 497 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN80N60P3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN80N60P3 при покупке от 1 шт 6770.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN80N60P3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN80N60P3

IXFN80N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 600В
    • Номинальный ток прямого тока (ID): 66А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме открытия
    • Низкий коэффициент вольтажа при прохождении тока (VDS(ON))
    • Высокая надежность и стабильность
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в электропитании устройств и систем
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Применение в светодиодных источниках света
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Электропитание серверных систем
    • Промышленное оборудование
    • Домашние электронные приборы
    • Источники питания для различных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN80N60P3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70mOhm @ 40A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    190 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13100 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    960W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN80

Техническая документация

 IXFN80N60P3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXTN600N04T2MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
    7 067Кешбэк 1 060 баллов
    IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    7 114Кешбэк 1 067 баллов
    IXFN32N100PMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
    7 171Кешбэк 1 075 баллов
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    7 192Кешбэк 1 078 баллов
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 644Кешбэк 1 146 баллов
    IXFN44N100PMOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
    7 648Кешбэк 1 147 баллов
    IXFN26N100PMOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
    8 014Кешбэк 1 202 балла
    IXFN210N20PMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
    8 227Кешбэк 1 234 балла
    IXTN550N055T2MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
    8 554Кешбэк 1 283 балла
    IXFN60N80PMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
    8 561Кешбэк 1 284 балла
    IXFN132N50P3MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
    8 655Кешбэк 1 298 баллов
    IXFN300N10PMOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
    8 784Кешбэк 1 317 баллов
    IXFN170N30PMOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
    8 784Кешбэк 1 317 баллов
    IXFN100N50PТранзистор: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
    9 061Кешбэк 1 359 баллов
    IXFN62N80Q3MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
    9 095Кешбэк 1 364 балла
    IXFN360N15T2MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
    9 243Кешбэк 1 386 баллов
    IXTN200N10L2MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
    9 312Кешбэк 1 396 баллов
    IXTN110N20L2MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
    9 312Кешбэк 1 396 баллов
    IXFN38N100PMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
    9 312Кешбэк 1 396 баллов
    IXTN8N150LMOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
    9 430Кешбэк 1 414 баллов
    IXFN80N50Q3MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
    9 601Кешбэк 1 440 баллов
    IXTN210P10TMOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
    9 720Кешбэк 1 458 баллов
    IXTN90N25L2MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
    10 359Кешбэк 1 553 балла
    IXTN46N50LMOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
    10 913Кешбэк 1 636 баллов
    IXFN82N60Q3MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
    11 149Кешбэк 1 672 балла
    IXFN100N50Q3MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
    11 153Кешбэк 1 672 балла
    IXFN56N90PMOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
    11 316Кешбэк 1 697 баллов
    IXFN80N50MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
    11 453Кешбэк 1 717 баллов
    IXFN32N100Q3MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
    11 646Кешбэк 1 746 баллов
    IXFN44N80Q3MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
    11 646Кешбэк 1 746 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП