Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
MMBF4117
  • В избранное
  • В сравнение
MMBF4117

MMBF4117

MMBF4117
;
MMBF4117

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMBF4117
  • Описание:
    JFET N-CH 40V 0.225W SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBF4117 при покупке от 1 шт 115.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF4117 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF4117

MMBF4117 ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 40V 0.225W SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение между дреном и сгущением: 40В
    • Мощность: 0.225Вт
    • Форм-фактор: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шумов и импульсных помех
    • Надежность работы при высоких температурах
  • Минусы:
    • Меньшая гибкость регулирования напряжения по сравнению с MOSFET
    • Более сложный процесс изготовления по сравнению с BJT
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых цепях
    • Регулировка напряжения и тока
    • Переключение нагрузки
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Цифровые устройства и системы управления
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF4117

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    30 µA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    600 mV @ 1 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBF41

Техническая документация

 MMBF4117.pdf
pdf. 0 kb
  • 974 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    115 ₽
  • 10
    77 ₽
  • 25
    61 ₽
  • 100
    43.5 ₽
  • 1000
    36.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMBF4117
  • Описание:
    JFET N-CH 40V 0.225W SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBF4117 при покупке от 1 шт 115.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF4117 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF4117

MMBF4117 ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 40V 0.225W SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение между дреном и сгущением: 40В
    • Мощность: 0.225Вт
    • Форм-фактор: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шумов и импульсных помех
    • Надежность работы при высоких температурах
  • Минусы:
    • Меньшая гибкость регулирования напряжения по сравнению с MOSFET
    • Более сложный процесс изготовления по сравнению с BJT
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых цепях
    • Регулировка напряжения и тока
    • Переключение нагрузки
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Цифровые устройства и системы управления
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF4117

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    30 µA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    600 mV @ 1 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBF41

Техническая документация

 MMBF4117.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PN4091SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    35Кешбэк 5 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    145Кешбэк 21 балл
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    428Кешбэк 64 балла
    MMBFJ175LT1GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
    86Кешбэк 12 баллов
    MMBF4117JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
    115Кешбэк 17 баллов
    MMBF4392LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    72Кешбэк 10 баллов
    MMBF4092N-CHANNEL JFET
    54Кешбэк 8 баллов
    JANTX2N4859JFET N-CH 30V 360MW TO-18
    2 798Кешбэк 419 баллов
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    63Кешбэк 9 баллов
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    695Кешбэк 104 балла
    2SK879-Y(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    98Кешбэк 14 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    105Кешбэк 15 баллов
    2N4858AТиристор: JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
    2 842Кешбэк 426 баллов
    2N5461JFET P-CH 40V 0.35W TO92
    463Кешбэк 69 баллов
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    133Кешбэк 19 баллов
    PN4303JFET N-CH 30V 625MW TO92
    36Кешбэк 5 баллов
    MPF4393JFET N-CH 30V 0.35W TO92
    463Кешбэк 69 баллов
    J109JFET N-CH 25V 625MW TO92
    54Кешбэк 8 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    121Кешбэк 18 баллов
    2N4391N CHANNEL J-FET T0-18
    2 701Кешбэк 405 баллов
    2N5116P-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 785Кешбэк 417 баллов
    JANTX2N4092UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    21 495Кешбэк 3 224 балла
    2N4392N CHANNEL J-FET T0-18
    2 703Кешбэк 405 баллов
    2N5638SMALL SIGNAL FET
    245Кешбэк 36 баллов
    2N4393N CHANNEL J-FET T0-18
    2 703Кешбэк 405 баллов
    JANTX2N4093UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    22 125Кешбэк 3 318 баллов
    MMBF4391LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    82Кешбэк 12 баллов
    JANTX2N4857JFET N-CH 40V 360MW TO-18
    4 224Кешбэк 633 балла
    2N4119AMOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
    1 853Кешбэк 277 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП