Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
MMBFJ108
  • В избранное
  • В сравнение
MMBFJ108

MMBFJ108

MMBFJ108
;
MMBFJ108

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    MMBFJ108
  • Описание:
    Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3Все характеристики

Минимальная цена MMBFJ108 при покупке от 1 шт 124.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ108 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ108

MMBFJ108 ON SEMICONDUCTOR Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Тип полярности: N-канальный
    • Рабочее напряжение: 25В
    • Максимальная мощность: 350МВт
    • Пакет: SSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение входного сопротивления
    • Хорошая стабильность при изменении температуры
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент передачи (упадок усиления)
    • Необходимость управляющего сигнала для управления
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
  • Общее назначение:
    • Изоляция сигналов
    • Сигнальное преобразование
    • Антенны и приемники
    • Программируемые логические элементы
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Телевизоры
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ108

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    80 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 10 nA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    8 Ohms
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBFJ1

Техническая документация

 MMBFJ108.pdf
pdf. 0 kb
  • 23325 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    124 ₽
  • 100
    54 ₽
  • 1000
    37 ₽
  • 6000
    29.5 ₽
  • 24000
    24.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    MMBFJ108
  • Описание:
    Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3Все характеристики

Минимальная цена MMBFJ108 при покупке от 1 шт 124.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ108 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ108

MMBFJ108 ON SEMICONDUCTOR Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Тип полярности: N-канальный
    • Рабочее напряжение: 25В
    • Максимальная мощность: 350МВт
    • Пакет: SSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение входного сопротивления
    • Хорошая стабильность при изменении температуры
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент передачи (упадок усиления)
    • Необходимость управляющего сигнала для управления
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
  • Общее назначение:
    • Изоляция сигналов
    • Сигнальное преобразование
    • Антенны и приемники
    • Программируемые логические элементы
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Телевизоры
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ108

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    80 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 10 nA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    8 Ohms
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBFJ1

Техническая документация

 MMBFJ108.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3796-2-TL-EJFET N-CH 10MA 100MW SMCP
    31.5Кешбэк 4 балла
    TF252TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13Кешбэк 1 балл
    TF412ST5GТиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
    87Кешбэк 13 баллов
    MMBFJ177LT1GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
    67Кешбэк 10 баллов
    MMBF5459JFET N-CH 25V 350MW SOT23
    83Кешбэк 12 баллов
    2SK771-5-TB-EJFET N-CH 20MA 200MW SCP
    43Кешбэк 6 баллов
    TF208TH-5-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBF5103Тиристор: JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
    72Кешбэк 10 баллов
    2SK715W-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    67Кешбэк 10 баллов
    2SK715U-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    67Кешбэк 10 баллов
    CPH6904-TL-EJFET 2N-CH 0.7W CPH6
    202Кешбэк 30 баллов
    MMBF4392LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    80Кешбэк 12 баллов
    MMBFU310LT1GJFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
    94Кешбэк 14 баллов
    2SK932-23-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    111Кешбэк 16 баллов
    2SK3738-TL-EMOSFET N-CH 40V SC-75
    39Кешбэк 5 баллов
    2SK715UJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    67Кешбэк 10 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    109Кешбэк 16 баллов
    MMBF4393LT3GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    82Кешбэк 12 баллов
    MMBF5460Тиристор: JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
    80Кешбэк 12 баллов
    NSVJ3557SA3T1GJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
    91Кешбэк 13 баллов
    MMBFJ175LT3GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    124Кешбэк 18 баллов
    BSR58JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23
    82Кешбэк 12 баллов
    SMMBFJ175LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    J113SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    80Кешбэк 12 баллов
    MCH5908H-TL-EJFET 2N-CH 0.3W MCPH5
    202Кешбэк 30 баллов
    SMMBFJ177LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    TF256TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    91Кешбэк 13 баллов
    MMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    55Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП