Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
MMBFJ110
  • В избранное
  • В сравнение
MMBFJ110

MMBFJ110

MMBFJ110
;
MMBFJ110

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMBFJ110
  • Описание:
    JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOTВсе характеристики

Минимальная цена MMBFJ110 при покупке от 1 шт 127.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ110 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ110

MMBFJ110 ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT

  • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор типа JFET (Junction Field-Effect Transistor)
  • Номинальное напряжение: 25В
  • Мощность: 0.46Вт
  • Пакет: 3-SSOT (трехконтактный корпус,Surface-Soldered Overlead Technology)

Основные параметры:

  • Рабочий диапазон напряжения: от 0 до 25В
  • Рабочий ток: до 30мА
  • Тип поля: Напряженно-полеобразующий

Плюсы:

  • Высокая стабильность характеристик
  • Отсутствие порогового напряжения
  • Долговечность
  • Малые размеры

Минусы:

  • Меньшая мощность по сравнению с транзисторами с обратной связью
  • Более чувствительны к излучению

Общее назначение:

  • Усилители сигналов
  • Фильтры
  • Диоды замещения
  • Коммутирующие элементы

Применение:

  • В электронных приборах
  • В радиоприборах
  • В цифровых устройствах
  • В аналого-цифровых преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ110

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    10 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    4 V @ 10 nA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    18 Ohms
  • Рассеивание мощности
    460 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBFJ1

Техническая документация

 MMBFJ110.pdf
pdf. 0 kb
  • 2834 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    127 ₽
  • 10
    92 ₽
  • 500
    39 ₽
  • 3000
    33 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMBFJ110
  • Описание:
    JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOTВсе характеристики

Минимальная цена MMBFJ110 при покупке от 1 шт 127.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ110 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ110

MMBFJ110 ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT

  • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор типа JFET (Junction Field-Effect Transistor)
  • Номинальное напряжение: 25В
  • Мощность: 0.46Вт
  • Пакет: 3-SSOT (трехконтактный корпус,Surface-Soldered Overlead Technology)

Основные параметры:

  • Рабочий диапазон напряжения: от 0 до 25В
  • Рабочий ток: до 30мА
  • Тип поля: Напряженно-полеобразующий

Плюсы:

  • Высокая стабильность характеристик
  • Отсутствие порогового напряжения
  • Долговечность
  • Малые размеры

Минусы:

  • Меньшая мощность по сравнению с транзисторами с обратной связью
  • Более чувствительны к излучению

Общее назначение:

  • Усилители сигналов
  • Фильтры
  • Диоды замещения
  • Коммутирующие элементы

Применение:

  • В электронных приборах
  • В радиоприборах
  • В цифровых устройствах
  • В аналого-цифровых преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ110

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    10 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    4 V @ 10 nA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    18 Ohms
  • Рассеивание мощности
    460 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBFJ1

Техническая документация

 MMBFJ110.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBFJ111Тиристор: JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    MMBF4117JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
    107Кешбэк 16 баллов
    MMBFJ176Тиристор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    119Кешбэк 17 баллов
    MMBFJ270Тиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    125Кешбэк 18 баллов
    MMBFJ110JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT
    127Кешбэк 19 баллов
    MMBFJ108Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
    129Кешбэк 19 баллов
    2SK208-GR(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    38Кешбэк 5 баллов
    2SK208-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    96Кешбэк 14 баллов
    2SK208-O(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    109Кешбэк 16 баллов
    2SK879-Y(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    129Кешбэк 19 баллов
    2SK880-BL(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    161Кешбэк 24 балла
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    175Кешбэк 26 баллов
    2SK2145-BL(TE85L,FJFET N-CH 50V SMV
    179Кешбэк 26 баллов
    2SK2145-Y(TE85L,F)MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    189Кешбэк 28 баллов
    2SK2145-GR(TE85L,FMOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    204Кешбэк 30 баллов
    2SK3320-BL(TE85L,FJFET DUAL N-CH USV
    218Кешбэк 32 балла
    J111,126JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
    79Кешбэк 11 баллов
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    19.2Кешбэк 2 балла
    PN4118SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    23Кешбэк 3 балла
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    65Кешбэк 9 баллов
    2N5639SMALL SIGNAL FET
    89Кешбэк 13 баллов
    PN4093JFET N-CH 40V 0.625W TO92
    89Кешбэк 13 баллов
    CMPFJ176 TRТиристор: IC JFET P-CH SOT23-3
    201Кешбэк 30 баллов
    CMPFJ175 TRIC JFET P-CH SOT23-3
    275Кешбэк 41 балл
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    445Кешбэк 66 баллов
    TF202THC-3-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13.5Кешбэк 2 балла
    TF252TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13.5Кешбэк 2 балла
    2SK3666-2-TB-EJFET NCH 30V 200MW 3CP
    16.3Кешбэк 2 балла
    TF208TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    19.2Кешбэк 2 балла
    TF208TH-5-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    19.2Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП