Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MMBFJ110

MMBFJ110

MMBFJ110
;
MMBFJ110

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MMBFJ110 при покупке от 1 шт 120.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ110 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ110

MMBFJ110 ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT

  • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор типа JFET (Junction Field-Effect Transistor)
  • Номинальное напряжение: 25В
  • Мощность: 0.46Вт
  • Пакет: 3-SSOT (трехконтактный корпус,Surface-Soldered Overlead Technology)

Основные параметры:

  • Рабочий диапазон напряжения: от 0 до 25В
  • Рабочий ток: до 30мА
  • Тип поля: Напряженно-полеобразующий

Плюсы:

  • Высокая стабильность характеристик
  • Отсутствие порогового напряжения
  • Долговечность
  • Малые размеры

Минусы:

  • Меньшая мощность по сравнению с транзисторами с обратной связью
  • Более чувствительны к излучению

Общее назначение:

  • Усилители сигналов
  • Фильтры
  • Диоды замещения
  • Коммутирующие элементы

Применение:

  • В электронных приборах
  • В радиоприборах
  • В цифровых устройствах
  • В аналого-цифровых преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ110

Техническая документация

MMBFJ110.pdf
pdf. 0 kb
  • 2840 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    120 ₽
  • 10
    83 ₽
  • 250
    43 ₽
  • 1000
    34.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MMBFJ110 при покупке от 1 шт 120.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ110 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ110

MMBFJ110 ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT

  • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор типа JFET (Junction Field-Effect Transistor)
  • Номинальное напряжение: 25В
  • Мощность: 0.46Вт
  • Пакет: 3-SSOT (трехконтактный корпус,Surface-Soldered Overlead Technology)

Основные параметры:

  • Рабочий диапазон напряжения: от 0 до 25В
  • Рабочий ток: до 30мА
  • Тип поля: Напряженно-полеобразующий

Плюсы:

  • Высокая стабильность характеристик
  • Отсутствие порогового напряжения
  • Долговечность
  • Малые размеры

Минусы:

  • Меньшая мощность по сравнению с транзисторами с обратной связью
  • Более чувствительны к излучению

Общее назначение:

  • Усилители сигналов
  • Фильтры
  • Диоды замещения
  • Коммутирующие элементы

Применение:

  • В электронных приборах
  • В радиоприборах
  • В цифровых устройствах
  • В аналого-цифровых преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ110

Техническая документация

MMBFJ110.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории