Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN210N20P
IXFN210N20P

IXFN210N20P

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN210N20P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN210N20P при покупке от 1 шт 8645.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN210N20P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFN210N20P

  • Package
    Tube
    Package Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
    Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    188A (Tc)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 188A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5mOhm @ 105A, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 105A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 8mA
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    255 nC @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
    Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    18600 pF @ 25 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1070W (Tc)
    Рассеивание мощности (Макс) 1070W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
    Вид монтажа Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
    Исполнение корпуса SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
    Корпус SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN210
    Base Product Number IXFN210
Техническая документация
 IXFN210N20P.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 307 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    8 645 ₽
  • 10
    6 506 ₽
  • 100
    6 054 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN210N20P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN210N20P при покупке от 1 шт 8645.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN210N20P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFN210N20P

  • Package
    Tube
    Package Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
    Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    188A (Tc)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 188A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5mOhm @ 105A, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 105A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 8mA
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    255 nC @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
    Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    18600 pF @ 25 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1070W (Tc)
    Рассеивание мощности (Макс) 1070W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
    Вид монтажа Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
    Исполнение корпуса SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
    Корпус SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN210
    Base Product Number IXFN210
Техническая документация
 IXFN210N20P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    IXFN140N20PMOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
    IXFN82N60Q3MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
    CAS300M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE
    IXTN60N50L2MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
    IXTN600N04T2MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
    IXTN62N50LMOSFET N-CH 500V 62A SOT227B
    IXFN300N10PMOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
    APTM100UM45DAGMOSFET N-CH 1000V 215A SP6
    IXFN32N100PMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
    APTM100A13SCGТранзистор: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
    IXTN90N25L2MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
    APT50M65JLLMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    APT47M60JMOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
    CAS120M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
    APL502JMOSFET N-CH 500V 52A ISOTOP
    APT5010JVRU2MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
    IXFN38N100PMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    IXFN48N60PMOSFET N-CH 600V 40A SOT227B

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП