Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN32N100Q3
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3
;
IXFN32N100Q3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN32N100Q3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN32N100Q3 при покупке от 1 шт 11359.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN32N100Q3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3 IXYS MOSFET N-Ч 1000В 28А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1000В
    • Номинальный ток: 28А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Оболочка: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый динамический трение
    • Хорошая термическая стабильность
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическим помехам
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых конвертерах
    • Применение в источниках питания
    • Работа в схемах управления нагрузкой
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств
    • Системы управления двигателей
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN32N100Q3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    320mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    195 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9940 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    780W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN32

Техническая документация

 IXFN32N100Q3.pdf
pdf. 0 kb
  • 286 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    11 359 ₽
  • 10
    8 692 ₽
  • 100
    8 482 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN32N100Q3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN32N100Q3 при покупке от 1 шт 11359.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN32N100Q3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3 IXYS MOSFET N-Ч 1000В 28А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1000В
    • Номинальный ток: 28А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Оболочка: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый динамический трение
    • Хорошая термическая стабильность
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическим помехам
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых конвертерах
    • Применение в источниках питания
    • Работа в схемах управления нагрузкой
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств
    • Системы управления двигателей
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN32N100Q3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    320mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    195 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9940 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    780W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN32

Техническая документация

 IXFN32N100Q3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXFN32N100Q3MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
    11 359Кешбэк 1 703 балла
    IXTN110N20L2MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
    9 265Кешбэк 1 389 баллов
    IXTN46N50LMOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
    10 644Кешбэк 1 596 баллов
    IXFN80N50MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
    11 170Кешбэк 1 675 баллов
    IXTN8N150LMOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
    8 626Кешбэк 1 293 балла
    IXFN56N90PMOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
    11 036Кешбэк 1 655 баллов
    IXTN40P50PMOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    6 773Кешбэк 1 015 баллов
    IXFN82N60Q3MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
    10 873Кешбэк 1 630 баллов
    IXFN140N30PMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
    6 314Кешбэк 947 баллов
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 455Кешбэк 1 118 баллов
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    8 507Кешбэк 1 276 баллов
    IXTN170P10PMOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
    7 148Кешбэк 1 072 балла
    IXFN60N80PMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
    7 965Кешбэк 1 194 балла
    IXFN160N30TMOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
    5 875Кешбэк 881 балл
    IXFN360N15T2MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
    9 015Кешбэк 1 352 балла
    IXFN44N80PMOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
    6 169Кешбэк 925 баллов
    IXFN360N10TMOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
    5 260Кешбэк 789 баллов
    IXFN38N100PMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
    9 082Кешбэк 1 362 балла
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    6 603Кешбэк 990 баллов
    IXTN90N25L2MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
    10 103Кешбэк 1 515 баллов
    IXFN80N50Q3MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
    9 363Кешбэк 1 404 балла
    IXFN32N120PMOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
    13 343Кешбэк 2 001 балл
    IXFN132N50P3MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
    8 554Кешбэк 1 283 балла
    IXFN420N10TMOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
    5 947Кешбэк 892 балла
    IXTN32P60PMOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
    5 419Кешбэк 812 баллов
    IXFN20N120PMOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
    3 811Кешбэк 571 балл
    IXFN44N100PMOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
    8 576Кешбэк 1 286 баллов
    IXFN44N80Q3MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
    11 359Кешбэк 1 703 балла
    IXFN62N80Q3MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
    8 871Кешбэк 1 330 баллов
    IXFN44N100Q3MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B
    16 800Кешбэк 2 520 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП