Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN80N50
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN80N50

IXFN80N50

IXFN80N50
;
IXFN80N50

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN80N50
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN80N50 при покупке от 1 шт 11453.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN80N50 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN80N50

IXFN80N50 IXYS MOSFET N-Ч 500В 80А SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток при рабочем напряжении (RDS(ON)) - 80 А
    • Рабочее напряжение - 500 В
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Пакет - SOT-227B
  • Плюсы:
    • Низкое значение RDS(ON), что обеспечивает минимальное энергопотребление
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT-227B
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования радиатора для эффективного отвода тепла
  • Общее назначение:
    • Использование в электропитании устройств и систем, требующих высокую мощность
    • Регулировка напряжения в блоках питания
    • Переключение в электронных цепях, где требуется высокая скорость
  • Применение:
    • Блоки питания для компьютеров, серверов и других цифровых устройств
    • Автомобильные системы, требующие высокой мощности
    • Системы управления двигателей
    • Производственные линии, где используются мощные электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN80N50

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    380 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9890 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC

Техническая документация

 IXFN80N50.pdf
pdf. 0 kb
  • 262 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    11 453 ₽
  • 10
    8 755 ₽
  • 100
    8 520 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN80N50
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN80N50 при покупке от 1 шт 11453.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN80N50 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN80N50

IXFN80N50 IXYS MOSFET N-Ч 500В 80А SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток при рабочем напряжении (RDS(ON)) - 80 А
    • Рабочее напряжение - 500 В
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Пакет - SOT-227B
  • Плюсы:
    • Низкое значение RDS(ON), что обеспечивает минимальное энергопотребление
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT-227B
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования радиатора для эффективного отвода тепла
  • Общее назначение:
    • Использование в электропитании устройств и систем, требующих высокую мощность
    • Регулировка напряжения в блоках питания
    • Переключение в электронных цепях, где требуется высокая скорость
  • Применение:
    • Блоки питания для компьютеров, серверов и других цифровых устройств
    • Автомобильные системы, требующие высокой мощности
    • Системы управления двигателей
    • Производственные линии, где используются мощные электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN80N50

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    380 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9890 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC

Техническая документация

 IXFN80N50.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXFN64N50PMOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
    5 676Кешбэк 851 балл
    IXFN420N10TMOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
    5 714Кешбэк 857 баллов
    IXFN44N80PMOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
    5 986Кешбэк 897 баллов
    IXFN160N30TMOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
    6 024Кешбэк 903 балла
    IXFN64N60PMOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
    6 468Кешбэк 970 баллов
    IXFN140N30PMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
    6 474Кешбэк 971 балл
    IXFN520N075T2MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
    6 557Кешбэк 983 балла
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    6 770Кешбэк 1 015 баллов
    IXFN80N50PMOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
    6 827Кешбэк 1 024 балла
    IXTN170P10PMOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
    6 928Кешбэк 1 039 баллов
    IXTN40P50PMOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    6 928Кешбэк 1 039 баллов
    IXTN32P60PMOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
    6 945Кешбэк 1 041 балл
    IXTN90P20PMOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
    6 945Кешбэк 1 041 балл
    IXTN600N04T2MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
    7 067Кешбэк 1 060 баллов
    IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    7 114Кешбэк 1 067 баллов
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    7 161Кешбэк 1 074 балла
    IXFN32N100PMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
    7 171Кешбэк 1 075 баллов
    IXFN44N100PMOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
    7 615Кешбэк 1 142 балла
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 644Кешбэк 1 146 баллов
    IXFN26N100PMOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
    7 982Кешбэк 1 197 баллов
    IXFN210N20PMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
    8 193Кешбэк 1 228 баллов
    IXTN550N055T2MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
    8 554Кешбэк 1 283 балла
    IXFN60N80PMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
    8 561Кешбэк 1 284 балла
    IXFN132N50P3MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
    8 618Кешбэк 1 292 балла
    IXFN300N10PMOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
    8 784Кешбэк 1 317 баллов
    IXFN170N30PMOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
    8 784Кешбэк 1 317 баллов
    IXFN100N50PТранзистор: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
    9 061Кешбэк 1 359 баллов
    IXFN62N80Q3MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
    9 095Кешбэк 1 364 балла
    IXFN360N15T2MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
    9 243Кешбэк 1 386 баллов
    IXTN200N10L2MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
    9 312Кешбэк 1 396 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторные модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП