Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXFN82N60Q3 при покупке от 1 шт 11429 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN82N60Q3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFN82N60Q3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75mOhm @ 41A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    275 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    960W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN82
Техническая документация
IXFN82N60Q3.pdf
pdf. 0 kb
  • 300 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    11 429 ₽
  • 10
    9 487 ₽
  • 100
    8 696 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена IXFN82N60Q3 при покупке от 1 шт 11429 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN82N60Q3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFN82N60Q3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75mOhm @ 41A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    275 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    960W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN82
Техническая документация
IXFN82N60Q3.pdf
pdf. 0 kb