Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN82N60Q3
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3
;
IXFN82N60Q3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN82N60Q3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 66A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN82N60Q3 при покупке от 1 шт 11149.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN82N60Q3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3 IXYS MOSFET N-Ч 600В 66А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 66 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при номинальном напряжении
    • Низкий ток утечки
    • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету SOT227B
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Необходима дополнительная проектировка для обеспечения надлежащей термической стабильности
    • Могут возникать проблемы с индуктивностью при использовании на высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применяется в источниках питания, преобразователях и других приборах, требующих высокой эффективности
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи напряжения
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN82N60Q3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75mOhm @ 41A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    275 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    960W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN82

Техническая документация

 IXFN82N60Q3.pdf
pdf. 0 kb
  • 244 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    11 149 ₽
  • 10
    8 512 ₽
  • 100
    8 250 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN82N60Q3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 66A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN82N60Q3 при покупке от 1 шт 11149.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN82N60Q3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3 IXYS MOSFET N-Ч 600В 66А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 66 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при номинальном напряжении
    • Низкий ток утечки
    • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету SOT227B
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Необходима дополнительная проектировка для обеспечения надлежащей термической стабильности
    • Могут возникать проблемы с индуктивностью при использовании на высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применяется в источниках питания, преобразователях и других приборах, требующих высокой эффективности
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи напряжения
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN82N60Q3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75mOhm @ 41A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    275 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    960W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN82

Техническая документация

 IXFN82N60Q3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXFN64N50PMOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
    5 676Кешбэк 851 балл
    IXFN420N10TMOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
    5 714Кешбэк 857 баллов
    IXFN44N80PMOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
    5 986Кешбэк 897 баллов
    IXFN160N30TMOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
    6 024Кешбэк 903 балла
    IXFN64N60PMOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
    6 468Кешбэк 970 баллов
    IXFN140N30PMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
    6 474Кешбэк 971 балл
    IXFN520N075T2MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
    6 557Кешбэк 983 балла
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    6 770Кешбэк 1 015 баллов
    IXFN80N50PMOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
    6 827Кешбэк 1 024 балла
    IXTN170P10PMOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
    6 928Кешбэк 1 039 баллов
    IXTN40P50PMOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    6 928Кешбэк 1 039 баллов
    IXTN32P60PMOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
    6 945Кешбэк 1 041 балл
    IXTN90P20PMOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
    6 945Кешбэк 1 041 балл
    IXTN600N04T2MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
    7 067Кешбэк 1 060 баллов
    IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    7 114Кешбэк 1 067 баллов
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    7 161Кешбэк 1 074 балла
    IXFN32N100PMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
    7 171Кешбэк 1 075 баллов
    IXFN44N100PMOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
    7 615Кешбэк 1 142 балла
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 644Кешбэк 1 146 баллов
    IXFN26N100PMOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
    7 982Кешбэк 1 197 баллов
    IXFN210N20PMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
    8 193Кешбэк 1 228 баллов
    IXTN550N055T2MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
    8 554Кешбэк 1 283 балла
    IXFN60N80PMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
    8 561Кешбэк 1 284 балла
    IXFN132N50P3MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
    8 618Кешбэк 1 292 балла
    IXFN300N10PMOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
    8 784Кешбэк 1 317 баллов
    IXFN170N30PMOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
    8 784Кешбэк 1 317 баллов
    IXFN100N50PТранзистор: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
    9 061Кешбэк 1 359 баллов
    IXFN62N80Q3MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
    9 095Кешбэк 1 364 балла
    IXFN360N15T2MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
    9 243Кешбэк 1 386 баллов
    IXTN200N10L2MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
    9 312Кешбэк 1 396 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП