Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXTN110N20L2

IXTN110N20L2

IXTN110N20L2
;
IXTN110N20L2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXTN110N20L2 при покупке от 1 шт 9265.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN110N20L2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN110N20L2

IXTN110N20L2 IXYS MOSFET N-Ч 200В 100А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 200В
    • Номинальный ток при VDS(on): 100А
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая conductive loss (низкий RD(on))
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Устойчивость к тепловому стрессу
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для достижения максимальной мощности
    • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах и устройствах, требующих высокой мощности и точности управления
    • Применяется в инверторах, преобразователях энергии, системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Энергоэффективные приборы
    • Системы управления электродвигателями
    • Питание мобильных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN110N20L2

Техническая документация

IXTN110N20L2.pdf
pdf. 0 kb
  • 268 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    9 265 ₽
  • 10
    6 697 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXTN110N20L2 при покупке от 1 шт 9265.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN110N20L2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN110N20L2

IXTN110N20L2 IXYS MOSFET N-Ч 200В 100А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 200В
    • Номинальный ток при VDS(on): 100А
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая conductive loss (низкий RD(on))
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Устойчивость к тепловому стрессу
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для достижения максимальной мощности
    • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах и устройствах, требующих высокой мощности и точности управления
    • Применяется в инверторах, преобразователях энергии, системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Энергоэффективные приборы
    • Системы управления электродвигателями
    • Питание мобильных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN110N20L2

Техническая документация

IXTN110N20L2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории