Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
MMBF4391LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G
;
MMBF4391LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMBF4391LT1G
  • Описание:
    JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBF4391LT1G при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF4391LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Проводимость: N-канальная
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Мощность: 0.225Вт
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость в размещении
    • Низкий уровень шума
    • Высокая стабильность характеристик
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • При работе при больших напряжениях могут возникать проблемы с управляемостью
    • Более высокие потери энергии по сравнению с MOSFET
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Амплитудная модуляция
    • Измерение частоты и частотной характеристики
    • Разделение сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы связи
    • Медицинское оборудование
    • Автомобильные системы
    • Информационные технологии
    • Производство электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF4391LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    50 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    4 V @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14pF @ 15V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBF4391

Техническая документация

 MMBF4391LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 41 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    82 ₽
  • 25
    45 ₽
  • 100
    33 ₽
  • 500
    23.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMBF4391LT1G
  • Описание:
    JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBF4391LT1G при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF4391LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Проводимость: N-канальная
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Мощность: 0.225Вт
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость в размещении
    • Низкий уровень шума
    • Высокая стабильность характеристик
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • При работе при больших напряжениях могут возникать проблемы с управляемостью
    • Более высокие потери энергии по сравнению с MOSFET
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Амплитудная модуляция
    • Измерение частоты и частотной характеристики
    • Разделение сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы связи
    • Медицинское оборудование
    • Автомобильные системы
    • Информационные технологии
    • Производство электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF4391LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    50 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    4 V @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14pF @ 15V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBF4391

Техническая документация

 MMBF4391LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TF256TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    PN4093JFET N-CH 40V 0.625W TO92
    85Кешбэк 12 баллов
    P1087JFET P-CH 30V 350MW TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    91Кешбэк 13 баллов
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    795Кешбэк 119 баллов
    MMBFJ111Тиристор: JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
    92Кешбэк 13 баллов
    MMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    53Кешбэк 7 баллов
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    178Кешбэк 26 баллов
    MMBFJ270Тиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    111Кешбэк 16 баллов
    MMBFJ176Тиристор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    120Кешбэк 18 баллов
    MMBF5103Тиристор: JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
    69Кешбэк 10 баллов
    MMBFJ201Тиристор: JFET N-CH 40V 350MW SOT23
    78Кешбэк 11 баллов
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBFJ110JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT
    120Кешбэк 18 баллов
    MMBFJ202SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    82Кешбэк 12 баллов
    MMBF5461SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    36Кешбэк 5 баллов
    MMBFJ113JFET N-CH 35V 350MW SOT23
    74Кешбэк 11 баллов
    MMBF5457Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    MMBF4392SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    72Кешбэк 10 баллов
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    PN4091SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    35Кешбэк 5 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    145Кешбэк 21 балл
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    428Кешбэк 64 балла
    MMBFJ175LT1GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
    86Кешбэк 12 баллов
    MMBF4117JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
    115Кешбэк 17 баллов
    MMBF4392LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    72Кешбэк 10 баллов
    MMBF4092N-CHANNEL JFET
    54Кешбэк 8 баллов
    JANTX2N4859JFET N-CH 30V 360MW TO-18
    2 798Кешбэк 419 баллов
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    63Кешбэк 9 баллов
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    847Кешбэк 127 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП