Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
MMBF4391LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G
;
MMBF4391LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMBF4391LT1G
  • Описание:
    JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBF4391LT1G при покупке от 1 шт 89.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF4391LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Проводимость: N-канальная
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Мощность: 0.225Вт
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость в размещении
    • Низкий уровень шума
    • Высокая стабильность характеристик
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • При работе при больших напряжениях могут возникать проблемы с управляемостью
    • Более высокие потери энергии по сравнению с MOSFET
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Амплитудная модуляция
    • Измерение частоты и частотной характеристики
    • Разделение сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы связи
    • Медицинское оборудование
    • Автомобильные системы
    • Информационные технологии
    • Производство электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF4391LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    50 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    4 V @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14pF @ 15V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBF4391

Техническая документация

 MMBF4391LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2941 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    89 ₽
  • 10
    64 ₽
  • 100
    37 ₽
  • 1000
    23 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMBF4391LT1G
  • Описание:
    JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBF4391LT1G при покупке от 1 шт 89.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF4391LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Проводимость: N-канальная
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Мощность: 0.225Вт
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость в размещении
    • Низкий уровень шума
    • Высокая стабильность характеристик
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • При работе при больших напряжениях могут возникать проблемы с управляемостью
    • Более высокие потери энергии по сравнению с MOSFET
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Амплитудная модуляция
    • Измерение частоты и частотной характеристики
    • Разделение сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы связи
    • Медицинское оборудование
    • Автомобильные системы
    • Информационные технологии
    • Производство электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF4391LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    50 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    4 V @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14pF @ 15V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBF4391

Техническая документация

 MMBF4391LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBFJ113JFET N-CH 35V 350MW SOT23
    82Кешбэк 12 баллов
    MMBFJ112Тиристор: JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
    83Кешбэк 12 баллов
    MMBF4392LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    83Кешбэк 12 баллов
    MMBFJ201Тиристор: JFET N-CH 40V 350MW SOT23
    86Кешбэк 12 баллов
    MMBF4391LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    89Кешбэк 13 баллов
    MMBFJ175LT1GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
    92Кешбэк 13 баллов
    MMBFJ111Тиристор: JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    MMBF4117JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
    108Кешбэк 16 баллов
    MMBFJ176Тиристор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    119Кешбэк 17 баллов
    MMBFJ270Тиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    125Кешбэк 18 баллов
    MMBFJ110JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT
    127Кешбэк 19 баллов
    MMBFJ108Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
    129Кешбэк 19 баллов
    2SK208-GR(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    39Кешбэк 5 баллов
    2SK208-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    97Кешбэк 14 баллов
    2SK208-O(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    110Кешбэк 16 баллов
    2SK879-Y(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    130Кешбэк 19 баллов
    2SK880-BL(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    162Кешбэк 24 балла
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    177Кешбэк 26 баллов
    2SK2145-BL(TE85L,FJFET N-CH 50V SMV
    181Кешбэк 27 баллов
    2SK2145-Y(TE85L,F)MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    191Кешбэк 28 баллов
    2SK2145-GR(TE85L,FMOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    206Кешбэк 30 баллов
    2SK3320-BL(TE85L,FJFET DUAL N-CH USV
    220Кешбэк 33 балла
    J111,126JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
    80Кешбэк 12 баллов
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    19.4Кешбэк 2 балла
    PN4118SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    23.3Кешбэк 3 балла
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    66Кешбэк 9 баллов
    2N5639SMALL SIGNAL FET
    89Кешбэк 13 баллов
    PN4093JFET N-CH 40V 0.625W TO92
    89Кешбэк 13 баллов
    CMPFJ176 TRТиристор: IC JFET P-CH SOT23-3
    203Кешбэк 30 баллов
    CMPFJ175 TRIC JFET P-CH SOT23-3
    278Кешбэк 41 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП