Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MMBFJ113

MMBFJ113

MMBFJ113
;
MMBFJ113

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MMBFJ113 при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ113 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ113

MMBFJ113 ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 35V 350MW SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение между коллектором и эмиттером (VCEO): 35В
    • Максимальная мощность (Pmax): 350 мВт
    • Тип: JFET (железный канал)
    • Тип поля: N-канальный
    • Форм-фактор: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Малый размер и легкость интеграции в микросхемы
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме включения
    • Не подходит для высокочастотных применений из-за медленного темпа перехода
  • Общее назначение:
    • Изоляционные транзисторы
    • Регуляторы напряжения
    • Амплитудные усилители
    • Применяются в цифровой электронике и низковольтной схемотехнике
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Автомобильные системы
    • Компьютерное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ113

Техническая документация

MMBFJ113.pdf
pdf. 0 kb
  • 2061 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    74 ₽
  • 25
    39 ₽
  • 100
    28 ₽
  • 500
    20.6 ₽
  • 3000
    17.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MMBFJ113 при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ113 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ113

MMBFJ113 ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 35V 350MW SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение между коллектором и эмиттером (VCEO): 35В
    • Максимальная мощность (Pmax): 350 мВт
    • Тип: JFET (железный канал)
    • Тип поля: N-канальный
    • Форм-фактор: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Малый размер и легкость интеграции в микросхемы
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме включения
    • Не подходит для высокочастотных применений из-за медленного темпа перехода
  • Общее назначение:
    • Изоляционные транзисторы
    • Регуляторы напряжения
    • Амплитудные усилители
    • Применяются в цифровой электронике и низковольтной схемотехнике
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Автомобильные системы
    • Компьютерное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ113

Техническая документация

MMBFJ113.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории